Bookcover of МэВ-облучение электронами гетероструктур Si
Booktitle:

МэВ-облучение электронами гетероструктур Si

Sciencia Scripts (2020-05-21 )

Books loader

Omni badge eligible for voucher
ISBN-13:

978-620-0-99578-0

ISBN-10:
6200995788
EAN:
9786200995780
Book language:
Russian
Blurb/Shorttext:
Изучено образование радиационных дефектов при высокоэнергетическом МэВ-электронном облучении структуры Si-SiO2 n- и p-типа с различными видами оксидов. Морфологические изменения оксида SiO2 при облучении электронов МэВ-элементов наблюдались при АСМ. Представлены ионы Si+, имплантированные Si-SiO2 структуры до и после облучения электронами МэВ. Перераспределение атомов кислорода и кремния и генерация нанокристаллов Si при облучении электронов МэВ наблюдались методами БКС/С и АСМ соответственно. Также проведены оптические свойства, фотолюминесценция и спектроскопические исследования пленок SiOx, облученных МэВ-электронами.
Publishing house:
Sciencia Scripts
Website:
https://sciencia-scripts.com
By (author) :
Соня Кашиева, Сергей Н. Дмитриев
Number of pages:
180
Published at:
2020-05-21
Stock:
Available
Category:
Physics, astronomy
Price:
48.60 €
Keywords:
Si heterostructures, MOS strucrures, interfaces, MeV electron irradiation, Radiation defects - generation and annealing, Si гетероструктуры, МОП-структуры, интерфейсы, МэВ-излучение электронов, Радиационные дефекты - генерация и отжиг

Books loader

Adyen::diners Adyen::jcb Adyen::discover Adyen::amex Adyen::mc Adyen::visa Adyen::cup Adyen::ach Adyen::unionpay Adyen::paypal Paypal Wire Transfer

  0 products in the shopping cart
Edit cart
Loading frontend
LOADING