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Bookcover of 鈧共摻雜含量(0~2.37wt%)對摻鋁氧化鋅透明導電薄膜之結構與特性影響研究
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鈧共摻雜含量(0~2.37wt%)對摻鋁氧化鋅透明導電薄膜之結構與特性影響研究

金琅学术出版社 (2016-05-19 )

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ISBN-13:

978-3-639-82506-0

ISBN-10:
3639825063
EAN:
9783639825060
Book language:
Blurb/Shorttext:
在STN 玻璃上析鍍氧化鋅、摻鋁氧化鋅、鈧與鋁共摻雜之氧化鋅(Al,Sc co-doped zinc oxide) 等透明導電薄膜。此薄膜經ICP 分析得知:由雙靶式所得薄膜之鈧含量(wt%) 較低(介於0 ~0.083),而三靶式所得薄膜之鈧含量(wt%) 較高(介於0.42~2.37)。薄膜組成的變化,影響其結構與性質甚大。薄膜的結晶結構,經XRD 分析得知:摻雜鋁後,結晶變形,共摻雜鋁、鈧後之薄膜,其結晶之[0002] 優選方向,隨含鈧濃度增加而逐漸下降,當薄膜中含鈧量超過0.425% 後,由[013] 取代[0002] 方向。由TEM 觀察薄膜橫截面,顯示這些薄膜均由柱狀結晶構成,垂直於玻璃界面,晶徑接近界面處較小(約20nm),隨遠離界面而增大(約65nm)。摻雜鈧使鍍膜晶粒細化,鈧摻雜量介於0.42~2.37 wt% 時,在HRTEM 下,每一柱狀晶底部顯示出細小晶粒,大部份柱狀晶內則出現與疊差缺陷;部份柱狀晶內會出現垂直於界面方向之Moire fringe contrast 缺陷。薄膜在氧氣氛下加熱400℃ 一小時,晶粒中之疊差缺陷密度明顯減少。薄膜經XPS 檢測之氧成份,具有四種不同的化學態,分別對應不同之鍵結能:O(I) 鍵結能530.00 ± 0.15 eV 屬於 Sc2O3 鍵結中之氧;O(II) 鍵結能在530.15 ± 0.15 eV,屬於纖維鋅礦結構中化學屬於纖維鋅礦結構中化學計量氧數量;O(III) 鍵結能在531.25 ± 0.20 eV ,與ZnO 薄膜中之缺氧有關;O(IV) 鍵結能在532.40 ± 0.15eV,屬於薄膜表面與氧氣之鍵結。
Publishing house:
金琅学术出版社
Website:
https://www.goldenlight-publishing.com
By (author) :
坤增 彭, 景崎 林
Number of pages:
172
Published on:
2016-05-19
Stock:
Available
Category:
Technology
Price:
35.80 €
Keywords:
TEM, 光學, , 透明導電(TCO)薄膜, AZO薄膜, 電學

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